Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSD1616AGTA
TRANS NPN 60V 1A TO92-3
KSD1616AGTA Hakkında
KSD1616AGTA, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sağlanan bu transistör, maksimum 60V kolektör-emitter gerilimi ve 1A kolektör akımı ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 750mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 160MHz transition frequency ile frekans karakteristiği bellidir. DC akım kazancı (hFE) 100mA akımda 2V Vce'de minimum 200 değerine sahiptir. Doyum gerilimi (Vce sat) 300mV'tur. Through-hole montajı için tasarlanmıştır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 160MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok