Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSC2682YSTU

TRANS NPN 180V 0.1A TO-126

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
KSC2682

KSC2682YSTU Hakkında

KSC2682YSTU, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, maksimum 180V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-126 through-hole paketinde sunulan bu transistör, 1.2W güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200MHz transition frequency ve 160 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle, anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında yer alır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu komponent, genel amaçlı amplifikatör devrelerinde, ses frekans uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 500mV Vce saturation voltajı düşük kayıplı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Obsolete
Power - Max 1.2 W
Supplier Device Package TO-126-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 180 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok