Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSB811GTA

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSB811

KSB811GTA Hakkında

KSB811GTA, onsemi tarafından üretilen TO-92S paketinde bir PNP tipi bipolar junction transistörüdür. Maksimum 25V kolektör-emitör gerilimine ve 1A kolektör akımına sahip bu transistör, 110MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile başlangıç devrelerine, audio amplifikatörlerine ve genel amaçlı anahtarlama devrelerine uygun bir komponenttir. 350mW güç dağıtma kapasitesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj türü ile eski tasarımlar ve prototipleme platformlarında kolay entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 110MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package TO-92S
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok