Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSB1116GTA

TRANS PNP 50V 1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSB1116

KSB1116GTA Hakkında

KSB1116GTA, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1A kolektör akımı ve 50V kolektor-emitter gerilimine sahiptir. 750mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için uygundur. Geçiş frekansı 120MHz olan transistör, 200 minimum DC akım kazancı (hFE) sunmaktadır. Doyum grilimi maksimum 300mV olup, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Endüstriyel kontrol, aydınlatma sistemleri ve beyaz eşya uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 750 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok