Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSB1116GTA
TRANS PNP 50V 1A TO92-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- KSB1116
KSB1116GTA Hakkında
KSB1116GTA, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V Vce breakdown voltajı ve 1A collector akımı ile çalışabilir. 120MHz transition frequency'sine sahip olması, orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmasını mümkün kılar. 750mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, küçük güçlü anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Üretim statüsü itibariyle discontinued ürün kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok