Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSB1116GBU
TRANS PNP 50V 1A TO-92
KSB1116GBU Hakkında
KSB1116GBU, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paket içinde sunulmaktadır. Maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 1A kollektör akımına sahip bu bileşen, 750mW güç dissipasyonuna kapasitedir. 120MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Minimum 200 hFE DC kazancı sağlayan transistör, ses frekansı ve düşük frekanslı RF uygulamalarında uygun karakteristiğe sahiptir. Through-hole montajlı bu bileşen, eski tasarımlar ve retrofit uygulamalarında tercih edilir. Şu anda üretimi durdurulmuş olsa da, Vce saturation 300mV @ 50mA-1A değerleriyle driver ve anahtarlama devreleri tasarımında kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok