Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSB1116AGTA

TRANS PNP 60V 1A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSB1116A

KSB1116AGTA Hakkında

KSB1116AGTA, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 60V kolektör-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmış bu transistör, 750mW güç kapasitesine sahiptir. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 120MHz geçiş frekansı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300mV saturasyon gerilimi ve düşük kesme akımı (100nA) ile düşük güç tüketimli devreler için tercih edilebilir. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında sinyal işleme, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer almaktadır. Bileşen artık üretim dışıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 750 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok