Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
KSB1116AGBU
TRANS PNP 60V 1A TO-92
KSB1116AGBU Hakkında
KSB1116AGBU, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 60V maksimum Vce breakdown voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmış olan bu bileşen, 750mW maksimum güç tüketimine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 100mA ve 2V Vce'de en az 200'dür. 120MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışan KSB1116AGBU, amatör elektronik projelerinde, düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve genel amaçlı PNP transistör gereken tasarımlarda tercih edilebilir. Through Hole montaj türüne sahip olup, klasik TO-92-3 konfigürasyonda 3 bacağa sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 750 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok