Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSB1116AGBU

TRANS PNP 60V 1A TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSB1116A

KSB1116AGBU Hakkında

KSB1116AGBU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde gelen bu transistör, 60V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile karakterize edilir. 750mW güç dağıtımı kapasitesine ve 120MHz geçiş frekansına sahip olan bileşen, 200 minimum DC akım kazancı (hFE) sunmaktadır. 300mV saturasyon voltajı ve 100nA kesme akımı ile düşük güç tüketimli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında operasyon yapabilmektedir. Ürün durumu itibariyle obsolete olmasına rağmen, belirli eski cihaz ve devrelerde yenileme çalışmalarında tercih edilebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 750 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok