Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSA812LMTF

TRANS PNP 50V 100MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
KSA812

KSA812LMTF Hakkında

KSA812LMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı pakete sahip olan bu transistör, 50V kolektör-emitter ters diyot gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 180MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 150mW güç yayınlayabilir ve -150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. 300 minimum DC akım kazancı (hFE) ile şekillendirme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Düşük kolektör-emitter doyma gerilimi (300mV) sayesinde anahtarlama verimliliği sağlar. Kontrol sinyalleri, ses frekansı amplifikasyonu ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılan transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok