Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSA812GMTF

TRANS PNP 50V 100MA SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
KSA812

KSA812GMTF Hakkında

KSA812GMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistörlü (BJT) bir komponenttir. SOT-23-3 (TO-236-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kolektör-emitter geriliminde 100mA'e kadar akım kapasitesi ile çalışabilir. 200 @ 1mA/6V minimum DC akım kazancı (hFE) ve 180MHz transition frequency özellikleri ile orta seviye frekans uygulamalarına uygundur. Maksimum 150mW güç dağıtımı kapabiliyeti sayesinde düşük güç tüketimli devre tasarımlarında tercih edilir. 300mV @ 10mA/100mA saturation voltajı ve 100nA maksimum collector cutoff akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. -150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Komponentin üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 180MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok