Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

KSA709GBU

TRANS PNP 150V 700MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
KSA709

KSA709GBU Hakkında

KSA709GBU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistor (BJT) olup TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 150V collector-emitter gerilimi ve 700mA collector akımı ile çalışan bu transistör, 800mW güç tüketimi sınırlaması içermektedir. DC akım kazancı (hFE) 50mA'de ve 2V Vce'de minimum 200 değerinde olup, 50MHz transition frekansı ile orta hızlı uygulamalar için uygun bir komponenttir. Collector cutoff akımı maksimum 100nA ve saturation voltajı 400mV'dir. İleri seviye darbe, anahtarlama ve düşük frekans amplifikasyon devrelerinde genel amaçlı PNP transistor olarak kullanılmaktadır. Maksimum junction sıcaklığı 150°C olan bu transistör, through-hole montaj teknolojisine uyumludur ve Obsolete statüsü taşımaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 700 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok