Optik Sensörler - Fotodiyotlar
KPDEA007-56F-B
INGAAS APD 75UM 900-1700NM
- Paket/Kılıf
- TO-56-3 Lens Top Metal Can
- Kategori
- Optik Sensörler - Fotodiyotlar
- Seri / Aile Numarası
- KPDEA007-56F
KPDEA007-56F-B Hakkında
KPDEA007-56F-B, California Eastern Laboratories tarafından üretilen InGaAs (Indium Gallium Arsenide) Avalanche Photodiode (APD) olup, 900nm ile 1700nm arasında çalışan kızılötesi bölge fotodiyotudur. 0.08mm çapında aktif alana sahip bu komponent, 1310nm'de 0.9 A/W ve 1550nm'de 1.05 A/W responsiviteye sahiptir. 15nA tipik dark current ve 55V maksimum ters voltaj özelliklerini taşır. -40°C ile 85°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen TO-56-3 paketleme ile sunulan bu APD fotodiyot, fiber optik haberleşme, LIDAR sistemleri, ışık algılama uygulamaları ve telemetri sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Active Area | 0.08mm Dia |
| Current - Dark (Typ) | 15nA |
| Diode Type | Avalanche |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Package / Case | TO-56-3 Lens Top Metal Can |
| Part Status | Active |
| Responsivity @ nm | 0.9 A/W @ 1310nm, 1.05 A/W @ 1550nm |
| Spectral Range | 900nm ~ 1700nm |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 55 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok