Optik Sensörler - Fotodiyotlar

KPDE086S-H85P-B

INGAAS, INAS PD W/THEMO-ELECTRIC

Seri / Aile Numarası
KPDE086S

KPDE086S-H85P-B Hakkında

KPDE086S-H85P-B, California Eastern Laboratories tarafından üretilen InGaAs/InAs fotodiod sensörüdür. 0.86mm² aktif alan ile kompakt tasarlanmıştır. 900nm ile 1700nm arasında spektral hassasiyete sahip olup, özellikle 1310nm ve 1550nm dalga boylarında yüksek responsiviteye (sırasıyla 0.9 A/W ve 1 A/W) ulaşır. Tipik 1nA karanlık akımı ile düşük parazit sinyal özelliği gösterir. TO-46-6 Metal Can paketi içerisinde gelen bu sensör, -40°C ile 70°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 20V maksimum ters gerilim ile çalıştırılır. Fiber optik iletişim sistemleri, kızılötesi algılama, optik ölçüm cihazları ve spektrometri uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Active Area 0.86mm²
Current - Dark (Typ) 1nA
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 70°C
Package / Case TO-46-6 Lens Top Metal Can
Part Status Active
Responsivity @ nm 0.9 A/W @ 1310nm, 1 A/W @ 1550nm
Spectral Range 900nm ~ 1700nm
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok