Optik Sensörler - Fotodiyotlar
KPDE086S-H8-B
INGAAS PHOTODIODE 860X860UM 900-
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Kategori
- Optik Sensörler - Fotodiyotlar
- Seri / Aile Numarası
- KPDE086S
KPDE086S-H8-B Hakkında
KPDE086S-H8-B, California Eastern Laboratories tarafından üretilen InGaAs (Indium Gallium Arsenide) fotodiyottur. 0.86mm² aktif alan ile 900nm ile 1700nm arasındaki geniş spektral aralıkta çalışır. 1310nm'de 0.9 A/W ve 1550nm'de 1 A/W responsivite sunarak, özellikle telekomunikasyon ve fiber optik haberleşme uygulamalarında kullanılır. 1nA tipik dark current ile düşük gürültü seviyesine sahiptir. TO-206AA/TO-18-3 metal kutu paketinde sağlanan bileşen, -40°C ile 85°C arasında stabil çalışır. Yüksek hızlı optik sinyal algılaması, infrared dedektörleri ve fotoelektrik ölçüm sistemlerinde tercih edilir. Maksimum 20V reverse voltajda güvenli şekilde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Active Area | 0.86mm² |
| Current - Dark (Typ) | 1nA |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Responsivity @ nm | 0.9 A/W @ 1310nm, 1 A/W @ 1550nm |
| Spectral Range | 900nm ~ 1700nm |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok