Optik Sensörler - Fotodiyotlar
KPDA100P-H8-B
SI APD AVALANCHE PHOTODIODE 1000
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Kategori
- Optik Sensörler - Fotodiyotlar
- Seri / Aile Numarası
- KPDA100P
KPDA100P-H8-B Hakkında
KPDA100P-H8-B, California Eastern Laboratories tarafından üretilen silikon avalanche photodiode (APD) sensörüdür. 1mm aktif alana sahip bu fotodiyot, 400nm ile 1000nm arasında spektral tepki gösterir ve özellikle 850nm dalga boyunda 0.45 A/W responsiviteye sahiptir. 200V maksimum ters voltaj ve 30pA tipik koyu akımı ile düşük gürültü uygulamalarına uygundur. TO-18 metal kaplı DIP paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 85°C sıcaklık aralığında çalışır. Fiber optik haberleşme, LIDAR, kuantum uygulamaları, tıbbi görüntüleme ve düşük ışık tespit sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Active Area | 1mm Dia |
| Current - Dark (Typ) | 30pA |
| Diode Type | Avalanche |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Responsivity @ nm | 0.45 A/W @ 850nm |
| Spectral Range | 400nm ~ 1000nm |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Wavelength | 780nm |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok