Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
KE12DJ10T52
SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
- Üretici
- Caly Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- KE12DJ10T52
KE12DJ10T52 Hakkında
KE12DJ10T52, Caly Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 1200V ters gerilim dayanımı ve 10A DC doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılır. Surface mount TO-252-2 paketinde sunulan bu bileşen, 1.8V maksimum ileri gerilim düşüşü ile enerji verimliliği sağlar. Reverse recovery time'ı 0 ns olması hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluğunu gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, enerji dönüştürücüler, invertörler ve yüksek frekanslı switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 660pF @ 0.1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok