Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

JTDB75

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW

Paket/Kılıf
55AW
Seri / Aile Numarası
JTDB75

JTDB75 Hakkında

JTDB75, Microchip Technology tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistörüdür. 55V maksimum collector-emitter gerilimi ve 8A maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 960MHz ile 1.215GHz arasında transition frekansı sağlar. 220W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 7dB-8.2dB kazanç özelliğiyle RF amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve yüksek frekans haberleşme uygulamalarında kullanılır. 200°C maksimum junction sıcaklığında güvenli çalışabilir. Chassis mount 55AW paketi ile sunulan bu transistör, özellikle UHF bandında çalışan radyo frekansı sistemlerinde tercih edilir. Ürün şu anda üretimi sonlandırılmış durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition 960MHz ~ 1.215GHz
Gain 7dB ~ 8.2dB
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature 200°C (TJ)
Package / Case 55AW
Part Status Obsolete
Power - Max 220W
Supplier Device Package 55AW
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok