Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

JANTXV2N5794UC/TR

TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
2N5794

JANTXV2N5794UC/TR Hakkında

JANTXV2N5794UC/TR, Microchip Technology tarafından üretilen dual NPN bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. Surface Mount 6-SMD paketlemede sunulan bu küçük-sinyal transistörü, 600mA maksimum kollektör akımı ve 40V maksimum Vce breakdown voltajına sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 150mA kollektör akımında 10V Vce'de çalışır. 600mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanılabilir. ICBO maksimum 10µA ve Vce saturation maksimum 900mV (30mA Ib, 300mA Ic'de) özellikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, sinyal işleme ve kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 600mW
Supplier Device Package 6-SMD
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok