Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N5680
DIODE
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5680
JANTXV2N5680 Hakkında
JANTXV2N5680, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal konektörlü kapsülde sunulan bu bileşen, 1A maksimum collector akımı ve 120V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanım için uygundur. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal amplifikasyon devrelerinden orta seviye güç yönetimi uygulamalarına kadar çeşitli kullanım alanları vardır. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 250mA, 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok