Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N5660
NPN TRANSISTOR
JANTXV2N5660 Hakkında
JANTXV2N5660, WEC tarafından üretilen TO-66 paketli NPN bipolar junction transistördür. 200V collector-emitter breakdown voltajı ve 2W maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Minimum 40 hFE DC akım kazancı (500mA, 5V'da) ile kontrollü anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Industrial ve aerospace uygulamalarında kullanılan JANTXV seri bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-66 (TO-213AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 400mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok