Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N5416U4/TR
TRANSISTOR POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5416
JANTXV2N5416U4/TR Hakkında
JANTXV2N5416U4/TR, Microchip Technology tarafından üretilen güç BJT (Bipolar Junction Transistor) transistörüdür. PNP tipi bu transistör, 1A maksimum collector akımı ve 300V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount U4 paketinde sunulan komponent, -65°C ile +200°C arasında çalışabilir ve 1W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 50mA collector akımında 10V Vce'de minimum 30'dur. Saturasyon voltajı 5mA baz akımında 50mA collector akımında maksimum 2V'dir. Endüstriyel, tüketici ve otomotiv uygulamalarında anahtarlama, amplifikasyon ve sürücü devreleri için uygun bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok