Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N5013
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N5013
JANTXV2N5013 Hakkında
JANTXV2N5013, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-5 metal kutu paketinde sunulmaktadır. Maksimum kolektör akımı 200 mA, kolektör-emitter bozulma gerilimi 800 V olan bu komponent, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 30 değeridir (20mA, 10V şartlarında). -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 1 W maksimum güç dissipasyonuna sahip bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve güç kontrol uygulamalarında tercih edilir. Through Hole montaj tipi ile PCB'ye direkt lehimlenebilir. JANTXV versiyonu, askeri ve havacılık uygulamaları için kalifikasyonu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-5 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok