Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N5012
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N5012
JANTXV2N5012 Hakkında
JANTXV2N5012, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-5 metal kap paketi ile sunulmaktadır. Maksimum 200 mA kolektör akımı, 700 V kırılma gerilimi ve 1 W güç sınırlaması ile tasarlanmıştır. 25°C, 10V koşullarında minimum 30 DC akım kazancı sağlar. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük kolektör kesme akımı (10 nA ICBO) ve yüksek gerilim dayanımı sayesinde RF amplifikasyon, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yer bulmuştur. Askeri ve uzay uygulamalarına yönelik JANTXV seviye sertifikasyonuna sahiptir. Güncel tasarımlarda yerine geçerli alternatif bileşenler tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-5 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok