Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N4150
DIODE
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-205AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N4150
JANTXV2N4150 Hakkında
JANTXV2N4150, MACOM tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, military grade JANTXV kalifikasyonuna sahiptir. TO-5 metal kasa ile sunulan bu transistör, 10A maksimum collector akımı ve 70V Vce(max) diyelerine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 40 @ 5A, 5V koşullarında belirtilmiştir. 160W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile güç amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve sinyal işleme devreleri için uygundur. -65°C ile +200°C arasında geniş operating temperature aralığında çalışabilen bu bileşen, otomotiv, endüstriyel ve askeri uygulamalarda tercih edilir. Vce saturation değeri 1A base akımında maksimum 2.5V olup, dönem teknolojisinin yüksek frekans ve hızlı anahtarlama gereksinimleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 160 W |
| Supplier Device Package | TO-5 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok