Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANTXV2N3997

TRANS NPN 80V 10A TO111

Paket/Kılıf
Stud
Seri / Aile Numarası
2N3997

JANTXV2N3997 Hakkında

JANTXV2N3997, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-111-4 stud mount paketinde sunulan bu bileşen, 80V kolektör-emitter gerilimi ve 10A maksimum kolektör akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahip olup, -65°C ile 200°C arasında çalışabilir. Vce doyum gerilimi 500mA base akımında 2V'tur. DC akım kazancı (hFE) 1A/2V'ta minimum 80 değerine ulaşır. Stud montaj tipi, yüksek akım ve güç uygulamalarında radyatör bağlantısı gerektiren endüstriyel devrelerde tercih edilir. Güç amplifikasyon, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün Digi-Key'de üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1A, 2V
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-111-4, Stud
Part Status Market
Power - Max 2 W
Supplier Device Package TO-111
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok