Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3960UB
TRANS NPN 12V UB
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3960
JANTXV2N3960UB Hakkında
JANTXV2N3960UB, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 3-SMD No Lead paket ile sunulan bu transistör, -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 12V maksimum Vce(BR)CEO değeri ve 400mW maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında çalışmaya uygundur. DC akım kazancı (hFE) minimum 60 değeri (10mA, 1V'de), yaklaşık 300mV saturasyon voltajı ve 10µA ICBO değeri ile güvenilir komütasyon özellikleri sunar. Endüstriyel, otomotiv ve askeri uygulamalarda kullanılan JANTXV serisine ait bu bileşen, yüksek güvenilirlik gereksinimleri olan sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok