Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3960
TRANS NPN 12V TO-18
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N3960
JANTXV2N3960 Hakkında
JANTXV2N3960, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, 12V maksimum Vce derecelendirmesi ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 60 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta seviye sinyal amplifikasyonu sağlar. 400mW maksimum güç derecelendirmesi, sınırlı enerji tüketimli devre tasarımları için uygundur. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel uygulamalar, gözetleme sistemleri ve hassas elektronik devreler için tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok