Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3767
TRANS NPN 80V 4A TO-66
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-213AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N3767
JANTXV2N3767 Hakkında
JANTXV2N3767, MACOM tarafından üretilen yüksek güç NPN bipolar junction transistördür. TO-66 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 4A collector akımı ve 80V collector-emitter gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25W maksimum güç seviyesi ile endüstriyel kontrol, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında kullanımı gerektiren askeri ve havacılık uygulamalarına uygunluk sağlar. DC akım kazancı (hFE) 40 (minimum), saturasyon gerilimi 2.5V ve 500µA collector cutoff akımı ile kontrollü anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 25 W |
| Supplier Device Package | TO-66 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok