Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3637UB/TR
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3637
JANTXV2N3637UB/TR Hakkında
JANTXV2N3637UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal BJT transistördür. Surface mount 3-SMD paket türünde sunulan bu bileşen, maksimum 1A collector akımı ve 1.5W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük gürültüye sahip sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C (junction) arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında ve 175V collector-emitter breakdown voltajı sayesinde hassas amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal kontrol devrelerinde uygulanır. Özellikle analog sinyal işleme, ses frekansı amplifikasyon ve düşük güçlü elektronik devreler için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | 3-SMD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok