Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANTXV2N3636UB

TRANS PNP 175V 1A

Paket/Kılıf
3-SMD
Seri / Aile Numarası
2N3636

JANTXV2N3636UB Hakkında

JANTXV2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltajlı PNP bipolar junction transistörlüdür (BJT). 175V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) stabil performans gösterir. Endüstriyel elektronik, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 50mV saturation voltajı ile düşük kayıplar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package 3-SMD
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 175 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok