Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3507U4
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3507
JANTXV2N3507U4 Hakkında
JANTXV2N3507U4, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek güvenilirlik NPN bipolar junction transistöründür. Silisyum epitaksiyel yapısı ile tasarlanan bu bileşen, -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Maksimum 1W güç tüketimi ve 50V Vce(br) kırılma gerilimi ile moderate güç uygulamalarında yer alır. DC akım kazancı (hFE) minimum 35 olup, 500mA'de 1V koşullarında ölçülmüştür. Surface mount U4 paketinde sunulan bu transistör, kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal amplifikasyonu gerektiren sistemlerde kullanılır. MIL-spec sertifikikal JANTXV sınıflandırması ile uzay ve savunma endüstrisi standartlarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 500mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok