Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3507AU4
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3507
JANTXV2N3507AU4 Hakkında
JANTXV2N3507AU4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, askeri ve havacılık uygulamaları için kalifikasyona sahiptir. Maximum 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1W power dissipation kapasitesiyle, genel amaçlı anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 3-SMD lead-free yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. DC current gain (hFE) 35 minimum (500mA, 1V'da), maksimum collector cutoff akımı 1µA'dır. Analog ve dijital devrelerde, düşük gürültü gereksinim duyulan uygulamalarda ve sıcak ortamlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 500mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 2.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok