Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3501UB/TR
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3501
JANTXV2N3501UB/TR Hakkında
JANTXV2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde küçük sinyal bipolar junction transistörüdür (BJT). Surface mount SMD pakette sunulan bu bileşen, 300mA maksimum kollektör akımı ve 150V kollektör-emitter breakdown gerilimi ile karakterize edilir. DC akım kazancı (hFE) 150mA/10V koşullarında minimum 100'dür. -65°C ile +200°C çalışma sıcaklık aralığında ve 500mW maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. Düşük seviye sinyal kuvvetlendirme, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon devreleri için kullanılır. JANTXV sınıflandırması, askeri ve endüstriyel uygulamalar için yüksek güvenilirlik ve radyasyon toleransı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok