Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3501UB
TRANS NPN 150V 0.3A
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3501
JANTXV2N3501UB Hakkında
JANTXV2N3501UB, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, askeri ve uzay uygulamalarında güvenilirlik sağlamak üzere tasarlanmıştır. 150V maksimum Vce derecelendirilmesi ve 300mA maksimum kollektör akımı ile, düşük-orta güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount UB paketi içinde sunulan bu transistör, -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. 500mW maksimum güç disipasyonu, 400mV Vce satürasyon voltajı ve 100 minimum DC current gain özellikleri ile kontrol devrelerinde, darbe üretim devrelerinde ve RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok