Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTXV2N3250AUB
PNP TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3250
JANTXV2N3250AUB Hakkında
JANTXV2N3250AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistor (BJT) olup, geniş sıcaklık aralığında (-65°C ~ 200°C) çalışır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 360mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount pakajda (4-SMD, No Lead) sunulan bileşen, 50 minimum hFE (10mA, 1V'de) ve 500mV Vce saturation gerilimine sahiptir. Uzay ve savunma uygulamaları için tasarlanmış JANTXV kalitesi bileşendir. Özellikle sınırlı yer bulunan ve yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok