Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
JANTXV2N2919U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N2919
JANTXV2N2919U/TR Hakkında
JANTXV2N2919U/TR, Microchip Technology tarafından üretilen çift NPN küçük sinyal bipolar transistörlü bir dizidir. 3-SMD No Lead paketlemesiyle yüzey montajı uygulamalar için tasarlanmıştır. Maksimum 30mA collector akımı, 60V collector-emitter gerilim dayanımı ve 150 minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük-orta güç amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 350mW maksimum güç dağılımı, 200°C maksimum üzey sıcaklığı ve 300mV maksimum saturasyon gerilimi ile analog sinyallerin amplifikasyonu, darbe devrelerinde transistör anahtarlaması, ses frekansı uygulamalar ve genel sinyal işleme devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| Supplier Device Package | 3-SMD |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok