Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANTXV2N2605UB

PNP TRANSISTOR

Paket/Kılıf
4-SMD
Seri / Aile Numarası
2N2605

JANTXV2N2605UB Hakkında

JANTXV2N2605UB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 4-SMD yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 400mW maksimum güç derecelendirilmesine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 150 minimum hFE kazancı ve 300mV doyum gerilimi ile düşük sinyaller için geçiş ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, güç anahtarlaması ve kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500µA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 4-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 400 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok