Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JANTXV1N6630US
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6630
JANTXV1N6630US Hakkında
JANTXV1N6630US, Microchip Technology tarafından üretilen 1 kV ters gerilim kapasitesine sahip genel amaçlı doğrultma diyotudur. 1.4 A ortalama doğrultulmuş akım seviyesine ve 50 ns reverse recovery time değerine sahip, hızlı iyileşme karakteristiği gösteren bir bileşendir. SQ-MELF (E-MELF) yüzey montaj paketi ile sunulan bu diyot, -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.4 V maksimum ileri gerilim düşüşüne sahip olan komponent, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. JANTXV sertifikasyonu ile askeri ve uzay uygulamalarına uygunluğu belgelenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1.4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | SQ-MELF, E |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-5B |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 1.4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok