Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JANTXV1N5811US
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5811
JANTXV1N5811US Hakkında
JANTXV1N5811US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 150V reverse voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 30ns reverse recovery time ve 875mV forward voltage (4A'de) özellikleri ile güç kaynakları, inverter devreleri, switching power supplies ve AC-DC dönüştürücülerde kullanım için uygundur. B-MELF (SQ-MELF) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, -65°C ile 175°C arasında çalışan endüstriyel ve askeri uygulamalara destektir. 60pF kapasitans değeri ve 5µA reverse leakage akımı özellikleri ile hassas devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 150 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok