Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JANTXV1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5809
JANTXV1N5809US Hakkında
JANTXV1N5809US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 100V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 30ns ters kurtarma süresi (trr) sayesinde yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında özellikle tercih edilir. Surface mount B-MELF paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -65°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 875mV maksimum ileri voltaj düşüşü (4A'de) ile verimli enerji dönüştürme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok