Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JANTXV1N5809URS
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5809
JANTXV1N5809URS Hakkında
JANTXV1N5809URS, Microchip Technology tarafından üretilen standart doğrultma diyodudur. 100V maksimum ters gerilim ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile genel amaçlı uygulamalarda kullanılır. Fast recovery özelliği (30ns reverse recovery time) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. SQ-MELF B paket formatında yüzey montajı için tasarlanmıştır. -65°C ile 175°C işletim sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. 875mV forward voltage ile minimum güç kaybı karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok