Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTX2N5339U3
PNP TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-276AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N5339
JANTX2N5339U3 Hakkında
JANTX2N5339U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montajı için TO-276AA paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1W güç kapasitesine sahip olan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.2V saturation voltajı ile güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve doğrultucu uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 60 değeri ile orta-güç uygulamalarında kontrol devrelerine uygun olup, 100µA maksimum collector cutoff akımı ile düşük sızıntı karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-276AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | U-3 (TO-276AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok