Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANTX2N5339
DIODE
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N5339
JANTX2N5339 Hakkında
JANTX2N5339, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek güvenilirlik endüstrisi uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-39 metal kutu paketi içinde sunulan bu komponent, maksimum 5A collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun özelliklere sahiptir. 60 minimum DC current gain (hFE) değeri ile istikrarlı amplifikasyon sağlar. -65°C ile +200°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, güç amplifikaları, anahtarlama devreleri, RF uygulamaları ve temas gözetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. JANTX serisi, askeri ve havacılık endüstrisinde güvenilirlik standartlarını karşılamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok