Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JANTX1N5811US
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5811
JANTX1N5811US Hakkında
JANTX1N5811US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 150V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle, güç kaynakları, inverterler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 30ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama işlemlerinde yüksek verimlilik sağlar. SQ-MELF yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, -65°C ile 175°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. 875mV ileri gerilim ve 5µA ters sızıntı akımı karakteristikleriyle endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 150 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok