Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
JANTX1N5807US
DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5807
JANTX1N5807US Hakkında
JANTX1N5807US, Microchip Technology tarafından üretilen hızlı iyileştirme diyotudur. 50V ters gerilim ve 3A ortalama doğrultulanmış akım yeteneğine sahiptir. B-MELF yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30ns ters kurtarma zamanı (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, AC-DC konverterler, PWM kontroller ve anahtarlamalı elektrik devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -65°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve askeri uygulamalara uygundur. Maksimum ileri gerilimi 875mV @ 4A ve 5µA ters sızıntı akımı @ 50V özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok