Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

JANSR2N3810U

RH SMALL-SIGNAL BJT

Paket/Kılıf
6-SMD
Seri / Aile Numarası
JANSR2N3810U

JANSR2N3810U Hakkında

JANSR2N3810U, Microchip Technology tarafından üretilen dual PNP small-signal bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. 6-SMD, No Lead yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, iki adet PNP transistörü tek bir kasa içinde barındırır.

Temel özellikleri:
- Maksimum collector akımı: 50mA
- Maksimum power dissipation: 350mW
- DC current gain (hFE): 150 (minimum, 1mA/5V koşullarında)
- Collector-Emitter breakdown voltage: 60V
- VCE saturation: 250mV (1mA/100µA koşullarında)
- Collector cutoff current: 10µA maksimum
- Çalışma sıcaklığı aralığı: -65°C ~ 200°C

Bu transistör, analog sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları, ses işleme ve genel sinyal yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük ses seviyesi sinyalleriyle çalışan uygulamalarda tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 350mW
Supplier Device Package 6-SMD
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok