Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

JANSR2N3700

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
JANSR2N3700

JANSR2N3700 Hakkında

JANSR2N3700, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj türüne sahiptir. 500mW maksimum güç kapasitesi ve 80V maksimum Vce breakdown voltajı ile genel sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-18 metal kasa içerisinde sunulan bu transistör, 100 (minimum) DC akım kazancı, 500mV maksimum doyum voltajı ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve askeri sınıfı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 10nA maksimum kollektör kesme akımı düşük kaçak akım performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 nA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-18 (TO-206AA)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok