Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N3637UB
PNP TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSR2N3637
JANSR2N3637UB Hakkında
JANSR2N3637UB, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltage PNP BJT transistördür. SMD paketinde sunulan bu transistör, 1A maksimum kolektör akımı ve 175V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile voltaj amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Ses amplifikatörleri, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok