Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
JANSR2N3636UB/TR
TRANSISTOR RH SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- JANSR2N3636UB
JANSR2N3636UB/TR Hakkında
JANSR2N3636UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistor (BJT) olup, güvenilirlik sınıflandırması RH (Radiation Hardened) uyumludur. Yüksek voltaj uygulamalarına uygun 175V Vce(BR) breakdown voltajı ve 1.5W maksimum güç derecelendirmesi ile tasarlanmıştır. Surface mount 4-SMD No Lead paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. DC current gain (hFE) minimum 50 olup, 50mA kolektör akımında 600mV'a kadar satürasyon voltajı gösterir. Anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle aerospace ve havacılık endüstrisi gibi radiasyon ortamlarının gerektirdiği kritik sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok